礼品U盘芯片厂三星明年将成全球首个提供3D SiP的

作者: admin 时间:2018-09-14 08:08 来源:未知

     礼品U盘芯片厂三星没有透露它如何在8LPP的基础上晋升8LPU,好比设计规则、新的库以及最小金属间距。 例如,三星正在为定制芯片预备专用IP,包括100 Gbps + SerDes等。
 

      礼品U盘芯片厂三星代工厂的总体路线图于今年早些时候宣布 ,因此在日本的SFF,三星重申其部门计划,也进行了一些修正,并提供了有关其未来计划的一些额外细节。 7LPP出产技术将是三星代工厂的旗舰工艺,因此很可能首先用于礼品U盘三星的移动SoC。
 
      去年
礼品U盘芯片厂三星承诺在2018年开始使用7LPP出产芯片,看来,三星已经开始制造7LPP SoC,但可能仅限于其母公司,由于其MPW(Multi-Project Wafer)服务时间表未提及7LPP。另外,2019年开始提供3D SiP以及2020年开始风险出产3nm节点也都是亮点。
 

      礼品U盘芯片厂三星8LPP和8LPU技术面向需要比10LPC和10LPU工艺所能提供的更高机能或更低功率或更高晶体管密度的客户,但无法获得三星7LPP或更提高前辈的制造技术EUVL。礼品U盘三星的8LPP技术去年投入出产 ,基于礼品U盘三星10纳米节点的开发,与10LPP比拟,更窄的最小金属间距可减小10%的面积(同样的复杂性),并且功耗降低10%(同样的频率和复杂性)。
 

      礼品U盘芯片厂三星最近在日本举办了三星锻造论坛2018(Samsung Foundry Forum 2018,SFF),发布了几个重要的信息。 8LPU的风险出产将于2018年开始,预计明年将在韩国Giheung的Fab S1工厂开始大批量出产。
 
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